砷化鎵檢測

砷化鎵檢測

砷化鎵是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,用來制作微波集成電路、紅外線發光二極管、半導體激光器和太陽電池等元件。
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砷化鎵檢測 項目介紹

砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來制作微波集成電路、紅外線發光二極管、半導體激光器和太陽電池等元件。

砷化鎵 檢測項目

檢測樣品:砷化鎵外延片、單晶、晶片、載流子等。

檢測項目:外形尺寸、表面質量、偏離度檢測、切口測試、電學性能檢測、載流子濃度測試、電阻率檢測、截面電阻率不均勻性、遷移率測試、位錯密度、電學性能、導電類型、霍爾遷移率、電阻率檢測、位錯密度檢測等。


砷化鎵 檢測標準

GB/T 8757-2006砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法

GB/T 8758-2006砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

GB/T 8760-2020砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 20228-2021砷化鎵單晶

GB/T 25075-2010太陽能電池用砷化鎵單晶

SJ 3242-1989砷化鎵外延片

SJ 20714-1998砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法

SJ/T 11497-2015砷化鎵晶片熱穩定性的試驗方法


砷化鎵 檢測流程


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